E2.pdf

(177 KB) Pobierz
Uniwersytet Medyczny
Uniwersytet Medyczny
Wydział wojskowo – lekarski
Zakład fizjologii człowieka i biofizyki
Laboratorium z biofizyki
Ćwiczenie E2 Badanie zmian oporu elektrycznego elektrolitu,
półprzewodnika i metalu w funkcji temperatury.
Grupa II
Zespół Z7
Michał Głowacki
1 Przygotowano http://wojsk-lek.org
Część teoretyczna:
1. Prawo Ohma
Prawo fizyki głoszące, że stały prąd I płynący w przewodniku jest wprost proporcjonalny do
przyłożonego napięcia U ( napięcie elektryczne) .
U=RI,
gdzie współczynnik proporcjonalności R jest oporem elektrycznym ( oporność elektryczna) .
Uogólnione prawo Ohma dla prądów zmiennych ma postać:
ZI=ε
2. Prawa Kirchoffa
Obwód rozgałęziony jest to obwód, w którym istnieje więcej niż jedna droga dla przepływu
prądu. Pojedyncza drogę dla przepływu prądu nazywamy gałęzią. Miejsca rozgałęzień
nazywamy węzłami. Elementy należące do tej samej gałęzi są połączone szeregowo, natomiast
gałęzie lub elementy włączone miedzy dwa te same węzły układu są połączone równolegle.
Oczkiem obwodu nazywamy zbiór gałęzi połączonych tak, ze tworzą zamkniętą drogę dla
przepływu prądu a po usunięciu jednej z gałęzi droga przestaje być zamknięta.
Prawa Kirchoffa:
I Prawo Kirchoffa mówi o bilansie prądów w węźle obwodu.
Suma prądów dopływających do węzła jest równa sumie prądów odpływających z
węzła.
II Prawo Kirchoffa (napięciowe)
W dowolnym oczku obwodu prądu stałego suma algebraiczna (uwzględniając znaki)
sile SEM i napiec na elementach rezystancyjnych jest równa 0.
Żeby zapisać równanie napięciowe dla dowolnego oczka należy:
a) postrzałkować prądy i napięcia w gałęziach oczka
b) obrać tzw. obieg oczka (okrągła strzałka)
c) poruszając się po oczku zgodnie z obiegiem dodajemy napięcia na rezystorach i SEM
źródeł uwzględniając ich zwroty względem obiegu. Napięcia zastrzałkowane zgodnie
z obiegiem przyjmujemy z plusem, natomiast napięcia zastrzałkowane przeciwnie z
obiegiem przyjmujemy z minusem.
Zastosowanie praw Kirchoffa.
a) II prawo Kirchoffa umożliwia obliczanie prądów w obwodach nierozgałęzionych z
dowolna ilością źródeł.
b) II prawo Kirchoffa umożliwia obliczanie napiec miedzy dwoma dowolnymi punktami
obwodu.
c) II prawo Kirchoffa umożliwia zapisywanie napięcia całkowitego dowolnej gałęzi
obwodu.
d) I i II prawo Kirchoffa umożliwiają obliczenie prądów i napiec w obwodach
rozgałęzionych z dowolna ilością źródeł.
3. Przewodniki prądu elektrycznego i izolatory:
·
Przewodniki – mały opór własny 10 -7
Wm – znaczna ilość swobodnych nośników
·
Wm mała ilość wolnych nośników
znacznego rozdziału energetycznego pasma podstawowego i przewodnictwa
(>3eV)
2 Przygotowano http://wojsk-lek.org
Izolatory – bardzo duży opór elektryczny 10 10
·
Wm) znaczne jej
zmniejszenie ze względu na wzrost temperatury, pasmo wzbudzone o szerokości
energetycznej 2-3 eV
4. Charakterystyka elektrolitów, półprzewodników i metali
W przewodnikach metalicznych wzrost temperatury powoduje wzrost amplitudy drgań sieci
krystalicznej. Elektrony poruszające się w takiej strukturze częściej się zderzają z elementami
sieci, zmniejsza to prędkość własną i odbierane jest jako wzrost rezystancji.
W przewodniku elektrolitycznym podnoszenie temperatury wywołuje wzrost ilości
zdysocjownych cząstek oraz ruchu jonów. Obrazuje się to zwiększenie ilości nośników prądu
oraz przemiany w ich strukturze. Wyżej wymienione efekty są obserwowane jako spadek oporu
elektrycznego.
W półprzewodnikach na skutek występującego wzrostu energii wewnętrznej można
zaobserwować wzrost ilości nośników słabiej związanych ze strukturą materiału w
półprzewodnikach samoistnych, a tym bardziej w domieszkowanym. Wywołuje to ewidentny
spadek rezystancji
5. Półprzewodniki – budowa, typy i rodzaje nośników prądu elektrycznego
Półprzewodnik to pierwiastek lub związek chemiczny, który w temp. Pokojowej posiada
rezystywność (10-4 - 10-8) [Wm]. [Krzem (Si), German (Ge), Związki kadmu (Arsenek galu)]
Cztery elektrony zewnętrzne tworzą wiązania kowalencyjne. Półprzewodniki posiadają budowę
krystaliczną. Atomy krzemu znajdują się w węzłach siatki krystalicznej. Atom krzemu posiada
14 elektronów = 2 + 8 + 4 walencyjne.
Przewodzenie prądu przez przewodnik:
Prąd w półprzewodniku stanowią ruchome nośniki ładunków, elektrony. Pod wpływem
zewnętrznego pola elektrycznego w jedną stronę poruszają się elektrony (w paśmie
przewodnictwa), w drugą dziury (w paśmie podstawowym). Nośniki poruszają się w
przewodniku pod względem pola elektrycznego oddziałującego na elektrony z siłą
F=qE.
Dziury i elektrony stanowią dwa rodzaje nośników w półprzewodniku. Liczba (ilość) dziur
lub elektronów zwana jest koncentracją. Półprzewodniki mogą być samoistne lub
domieszkowane.
· Półprzewodnik samoistny To taki w którym koncentracja dziur i elektronów jest
taka sama. Można ją zwiększyć poprzez (wprowadzenie atomów domieszek,
promieniowanie elektromagnetyczne, zwiększanie temperatury).
· Półprzewodnik domieszkowany Koncentracja dziur i elektronów jest różna.
Mamy dwa typy domieszkowanych n i p
Otrzymywanie typu n i p:
3 Przygotowano http://wojsk-lek.org
Półprzewodniki zróżnicowana rezystywność (10 – 10 11
108196245.001.png
·
Typ n otrzymujemy po wprowadzeniu do sieci krystalicznej czystego
półprzewodnika (czystego krzemu) atomów pierwiastków pięciowartościowych
(fosfor, arsenek galu). Dodatkowy 5 elektron jest elektronem swobodnym i
przemieszcza się pod wpływem pola elektrycznego. Powstaje więc nieruchomy
jon dodatni jednostki donorowej. Domieszki piątej grupy nazywamy domieszkami
DONOROWYMI. Występuje nadmiar elektronów.
·
Typ p otrzymujemy po wprowadzeniu do czystego krzemu atomów pierwiastków
trójwartościowych z trzeciej grupy (bor, aluminium, nil). Domieszki zawierają
trzy elektrony walencyjne, które łączą się z trzema elektronami atomów krzemu
do zapewnienia czwartego wiązania brakuje jednego elektronu, który może być
łatwo oderwany od innego atomu krzemu. Domieszki zwane AKCEPTORAMI.
Występuje nadmiar dziur elektronowych.
Prąd elektryczny w półprzewodnikach
Do półprzewodników zaliczamy substancje krystaliczne, których konduktywność j w
temperaturze pokojowej wynosi 10 7 - 10 5 S/m. Ze względu na zdolność przewodzenia
półprzewodniki zajmują pośrednie miejsce między przewodnikami a dielektrykami.
Półprzewodniki wykazują jednak specyficzne własności, które są odmienne od własności metali.
W elektronice są stosowane półprzewodniki o regularnej budowie krystalicznej,
charakterystycznej dla pierwiastków IV grupy okresowej tablicy Mendelejewa, takie jak: krzem,
german, oraz związki pierwiastków III i V grupy oraz II i VI grupy, jak np.: arsenek galu,
antymonek indu itp. Zrozumienie zjawiska przewodzenia prądu w półprzewodnikach jest
niemożliwe bez zanalizowania jakościowego obrazu procesów zachodzących w kryształach
półprzewodników.
Elektrony w atomie zajmują pewne dozwolone orbity, którym zgodnie z teorią mechaniki
kwantowej odpowiadają określone poziomy energetyczne. W obrębie układu nie może być
dwóch elektronów o dokładnie takich samych poziomach energetycznych. Zajmując określoną
orbitę, elektron ma pewien określony stan energetyczny. Przejście elektronu z jednej dozwolonej
orbity na drugą wiąże się ze skokową zmianą jego energii (poziomy energetyczne są nieciągłe,
tzw. dyskretne). Możliwość zmiany energii elektronu w wyniku przejścia z jednej orbity na drugą
nie oznacza, że elektron wchodzący w skład struktury atomowej pierwiastka, może zająć
dowolny poziom energetyczny.
Skokowa zmiana energii elektronu wskazuje na to, że poziomy dozwolone są przedzielone
poziomami zabronionymi. W atomie najwyższym z obsadzonych poziomów energetycznych jest
poziom elektronów walencyjnych.
jednakowych atomów, na elektrony znajdujące się na orbitach zewnętrznych zaczynają działać
siły nie tylko jądra macierzystego, ale również siły jąder atomów sąsiednich. Zajmiemy się
obecnie tylko elektronami walencyjnymi. Elektrony walencyjne atomów położonych blisko
siebie mogą zajmować określone stany położone nie na jednym poziomie energetycznym, ale
stany z całego tzw. pasma energetycznego z zachowaniem zasady Pauliego W próbce kryształu
pasmo zawiera wiele blisko siebie położonych poziomów energetycznych. Do tego, aby elektron
z pasma walencyjnego „przeskoczył" do przestrzeni międzywęzłowej, jest niezbędne
dostarczenie mu pewnej energii, którą oznaczymy przez DW. W przestrzeni międzywęzłowej
elektron może zajmować stany w tzw. paśmie przewodnictwa.
Pasmowa teoria , kwantowa teoria budowy ciał stałych ( kryształów) . Rozpatruje się w niej
oddziaływanie periodycznie zmiennego potencjału pola elektromagnetycznego sieci krystalicznej
na pole elektronów walencyjnych w krysztale.
Rozwiązania odpowiednich równań teorii pasmowej prowadzą do wniosku, że dopuszczalne
poziomy energetyczne elektronów zlewają się w tzw. pasma energetyczne (stąd nazwa teorii).
4 Przygotowano http://wojsk-lek.org
Pasma te noszą nazwę pasm dozwolonych (mogą być zapełnione elektronami lub puste),
rozdzielonych przerwami energetycznymi o nazwie pasm wzbronionych (przebywanie w nich
elektronów w idealnym krysztale jest niemożliwe, w rzeczywistych kryształach, na skutek
defektów sieci krystalicznej, a w szczególności domieszek obcych atomów, istnieją elektrony
w paśmie wzbronionym, które określa się wówczas pasmem domieszkowym).
Szczególnymi pasmami dozwolonymi są: pasmo walencyjne (najwyżej położone z całkowicie
zapełnionych pasm dozwolonych) i pasmo przewodnictwa (niezapełnione, tj. puste, lub tylko
częściowo zapełnione pasmo dozwolone znajdujące się ponad pasmem walencyjnym).
Szerokość pasma wzbronionego rozdzielającego te dwa pasma odpowiada za własności
elektryczne materiału. Teoria pasmowa wyjaśnia w szczególności wiele własności
W temperaturze zera bezwzględnego w półprzewodnikach wszystkie poziomy energetyczne w
paśmie walencyjnym są obsadzone elektronami walencyjnymi, uczestniczącymi w procesie
wiązań chemicznych. Natomiast w paśmie przewodnictwa brak jest elektronów. Konduktywność
półprzewodnika jest więc w tej temperaturze równa zeru, gdyż jak już wspomnieliśmy, w paśmie
przewodnictwa brak jest elektronów, a w paśmie walencyjnym wprawdzie są elektrony, ale
obsadzają wszystkie wolne miejsca. Ruch elektronów jest niemożliwy, podobnie jak niemożliwy
jest ruch samochodów na parkingu szczelnie zapełnionym samochodami.
Szerokość pasma zabronionego określa się ilością energii (w elektronowoltach), jaką elektron
musi uzyskać do „przeskoczenia" tego pasma i przejścia z pasma walencyjnego do pasma
przewodnictwa. Dla półprzewodników energia ta w temperaturze normalnej (pokojowej) wynosi
ok. 0,5 - 3eV.
W temperaturze normalnej (pokojowej) pasmo przewodnictwa jest wypełnione przez elektrony
swobodne, których ukierunkowany ruch jest możliwy pod wpływem działania pola
elektrycznego. Czysty german Ge ma w tej temperaturze pasmo zabronione o szerokości 0,67eV,
a czysty krzem Si -- l,12eV.
Czyste półprzewodniki o budowie idealnej nazywamy półprzewodnikami samoistnymi. Każdy
atom przez swoje elektrony walencyjne wiąże cztery sąsiednie atomy, tworząc strukturę bardzo
trwałą i elektrycznie obojętną. Uwolnienie elektronów z wiązań wymaga, jak już
wspomnieliśmy, dostarczenia energii równej co najmniej szerokości pasma zabronionego.
5 Przygotowano http://wojsk-lek.org
108196245.002.png
Zgłoś jeśli naruszono regulamin