TEST_RAM.pdf

AKTUALNOŚCI >> TEMAT NUMERU >> HARDWARE >> SOFTWARE >> INTERNET >> PORADY >> MAGAZYN

HARDWARE

W ARTYKULE

Serial Presence Detect (SPD):

Opis zawartości modułu

Porady eksperta:

Jaką pamięć wybrać?

Układy scalone:

Rozszyfrowywanie oznaczeń

Wydajność modułów:

Wykresy

Procedura testowa:

Jak testowaliśmy pamięci

Overclocking:

Możliwości podkręcania

Bufor sygnału zegarowego

(pętla PLL)

Bufor magistrali adresów

(rejestr zatrzaskowy)

Dane techniczne i wyniki:

Zestawienie parametrów

wszystkich kości

Wycięcie kodujące, uniemożliwia-

jące niewłaściwy montaż modułu

na płycie głównej

Moduł SPD konfiguracji pamięci

Bufor magistrali adresów

(rejestr zatrzaskowy)

Układ pamięci

Wydajność komputera w dużej mierze zależy od wielkości RAM-u, ale czy od jej rodzaju?

Walka z zegarami

Po trwającej do niedawna „przepychance” na rynku między producentami pamięci DDR i RDRAM nie ma już

śladu. Wystarczy rzucić okiem na cenniki sklepów komputerowych, aby się przekonać, że obecnie

niepodzielnym liderem wśród pamięci RAM są moduły DDR.

Bartłomiej Bojarski

elektronicznym maszynom obli-

czeniowym, wykonującym skom-

plikowane działania, towarzyszą układy pa-

mięci. Wtedy, gdy komputer osobisty

mieszczący się na biurku był tylko wizją fu-

turysty, do budowy maszyn liczących wyko-

rzystywano pamięci oparte na rdzeniach

ferrytowych. Podstawowymi wadami ówcze-

snego rozwiązania były mała pojemność ta-

kiego modułu i jego spore rozmiary. Opraco-

wanie w latach 60. minionego wieku metody

wytwarzania tranzystorów w strukturze

krzemowej stało się milowym krokiem w

miniaturyzacji komputerów. Właśnie za

sprawą tej technologii możemy się dzisiaj

cieszyć nie tylko coraz szybszymi proceso-

rami, ale również pojemniejszymi i szybszy-

mi pamięciami RAM.

wielkość wkrótce może okazać się niewystar-

czająca. Użytkownik znów stanie przed dyle-

matem, ile pamięci kupić i jakie moduły wy-

brać. W laboratorium mieliśmy rzadką okazję

bliżej przyjrzeć się 40 najpopularniejszym

obecnie modułom pamięci DDR SDRAM róż-

nych standardów, począwszy od PC2100,

a skończywszy na niezatwierdzonych jeszcze

przez JEDEC (międzynarodową organizację

zajmującą się m.in. ustalaniem standardów

pamięci) układach PC3700.

W pogoni za wydajnością

Zabierając się do pisania tego artykułu, zapy-

tałem mojego przyjaciela, ile pamięci RAM

ma w swoim komputerze. Jego reakcja była

tyle zaskakująca, co zabawna. Odpowiedział

mi, że nieważne, ile pamięci tkwi w jego ma-

szynie, ponieważ tej zawsze jest za mało.

Dzisiaj standardem jest 256 MB, jednak w do-

bie szybko rosnących wymagań współcze-

snych procesorów oraz aplikacji taka

Na dwa zbocza

Pamięci typu DDR są bezpośrednim rozwi-

nięciem koncepcji układów SDRAM.

CHIP | PAŹDZIERNIK 2003

O d zarania komputerowych dziejów

AKTUALNOŚCI >> TEMAT NUMERU >> HARDWARE >> SOFTWARE >> INTERNET >> PORADY >> MAGAZYN

HARDWARE

Test pamięci RAM

Do przesyłania danych wykorzystano tu

pomysł polegający na transmisji danych

przy obydwu zboczach sygnału taktujące-

go. Oznacza to, że wewnętrznie kości DDR

pracują z podwojoną częstotliwością, czyli

w efekcie teoretycznie pozwalają na uzy-

skanie dwa razy większych niż w przypad-

ku SDRAM transferów. Ze względu na

wysoką częstotliwość pracy ulepszono me-

chanizm synchronizacji oraz buforowania

sygnałów, dzięki czemu wymiana danych

jest jeszcze bardziej efektywna. Krytyczny

wpływ na wydajność mają opóźnienia w

przesyłaniu informacji. Dlatego też do syn-

chronizacji transmisji danych używana jest

nie tylko częstotliwość systemowa. DDR-y

udostępniają do tego celu dodatkowy sy-

gnał o nazwie DQS (Data Strobe). Pozwala

to obejść problem pojawiający się wraz

z utratą synchronizacji na magistrali mię-

dzy chipsetem i pamięcią. Gdy pojawi się

polecenie odczytu, DDR generuje sygnał

DQS. Sterując nim w odpowiedni sposób,

informuje chipset, kiedy na magistrali da-

nych znajdują się dane związane z określo-

nym natężeniem lub spadkiem sygnału. Za-

pis odbywa się w odwrotny sposób –

chipset generuje sygnał DQS, dając pamięci

znak, w którym momencie na magistrali

znajdują się dane do przejęcia przez RAM.

Zapisywane informacje muszą zostać

wcześniej przygotowane do zapisu, tak aby

już w momencie przeskoku sygnału DQS

były gotowe do pobrania.

Prostota architektury DDR stanowi chy-

ba jej największy atut. Moduły DDR różnią

się od SDRAM-ów tylko interfejsem. Zarów-

no matryce pamięci, jak i logika synchro-

nicznego zapisu i odczytu są praktycznie

identyczne, a koszty produkcji osiągają taki

sam poziom jak koszty wytwarzania SDRAM-

-ów o podobnej pojemności. Możemy się

o tym pośrednio przekonać, zaglądając do

cenników sklepów komputerowych. Obec-

nie pamięci DDR znajdują się na tym sa-

mym poziomie cenowym co SDRAM-y. Z

kolei DDR-y są ponaddwukrotnie tańsze od

RDRAM-ów.

SPD – jakie informacje zaszyto w malutkim chipie?

Każdy moduł DDR oprócz kości pamięci

ma również przylutowany mały układ sca-

lony – SPD (Serial Presence Detect). Infor-

macje zapisane w SPD są nader ciekawe

i stanowią swego rodzaju „wizytówkę”

modułu pamięci. Z danych tych korzysta

2. Liczbie stron pamięci

Na liczbę stron modułu wskazuje bajt piąty.

Możliwe są tylko dwie wartości 0x01 i 0x02,

które oznaczają jedno- lub dwustronny mo-

duł (ma jeden lub dwa banki pamięci, a nie

układy z jednej lub dwóch stron laminatu).

3. Pojemności po jednej stronie modułu

Bajt 31. wskazuje, jaką wielkość ma poje-

dyncza strona modułu. Jeżeli mamy do czy-

nienia z modułem dwustronnym, to całko-

wity rozmiar takiej pamięci jest dwukrotnie

większy niż podany w tym bajcie.

np. BIOS płyty głównej, ustalając optymal-

ne warunki pracy dla kości RAM. Odczytu-

jąc dane z SPD, możemy zdobyć informa-

cje między innymi o:

4. Liczbie bitów modułu pamięci

Liczba bitów modułu pamięci jest zapisana

w bajcie 6. Możliwe są dwie wartości (dla pa-

mięci do PC-ta) 0x40 i 0x48. Oznaczenie

0x40 wskazuje na standardowy moduł 64-bi-

towy, 0x48 na moduł 72-bitowy, czyli mający

dodatkowo kontrolę parzystości (ECC).

5. CAS Latency

CAS Latency (CAS – Column Address Strobe;

opóźnienie sygnału wybierania kolumny

w matrycy pamięci) zapisany jest w komór-

ce 18.

1. Organizacji układów pamięci, z któ-

rych jest zbudowana pamięć

Potrzebne informacje zostały zapisane

w 3., 4., 13. i 17. bajcie SPD.

Znaczenie komórek jest następujące:

3 – liczba wierszy,

4 – liczba kolumn,

13 – liczba bitów układu pamięci,

17 – liczba wewnętrznych banków układu

pamięci.

Na podstawie tych informacji konfiguro-

wany jest chipset w płytach głównych. Złe

wpisy dotyczące na przykład długości ad-

resu wierszy lub kolumn powodują zły po-

dział adresu, przez co adresowanie pamię-

ci i w wielu przypadkach odświeżanie jest

niewłaściwe, co może zmniejszyć ogólną

wydajność RAM-u.

6. Częstotliwości taktowania

Dla podanego CAS Latency częstotliwość

taktowania jest zapisana w komórce 9.

7. Sumie kontrolnej

Jest to informacja zapisana w 62. bajcie,

która pozwala ocenić, czy odczytane z SPD

dane nie uległy przekłamaniu. Jej popraw-

ność świadczy o dołożonej staranności

w przygotowanie SPD.

8. Inne dane

W bajtach 93–94 zapisana jest data produk-

cji modułu w formacie: rok i numer ty-

godnia w roku.

Zaglądając do wnętrza

Strukturę RAM-u możemy sobie wyobrazić

jako macierz komórek. Każdy element należy

do określonej kolumny i wiersza. Tak zbudo-

wane macierze grupowane są w banki. Zwy-

kle pamięci DDR SDRAM mają

cztery takie banki. Każda komórka

pamięci ma swój unikatowy adres.

Jednak zaadresowanie całej pamięci

w jednym cyklu zegarowym wyma-

gałoby poprowadzenia połączeń do

każdego elementu. Z tego też powo-

du adresowanie podzielono na dwie

raty – najpierw kolumny, później

wiersze. Do „wydobycia” konkretnej

informacji z takiego układu potrzeb-

ne są zatem zaledwie dwie linie adre-

sowe – wiersz (Row Line) i kolumna

(Column Line).

Ważnymi parametrami wpływa-

jącymi na wydajność pamięci DDR

są, oprócz częstotliwości zegara taktującego,

również tak zwane timingi, czyli opóźnienia

określające liczbę taktów zegarowych pa-

mięci pomiędzy wydaniem polecenia odczy-

tu lub zapisu a jego wykonaniem. Pierw-

szym parametrem (timingiem) podawanym

przez producentów w specyfikacji jest CAS

Latency (przez niektórych określany jako

CL). Określa on liczbę cykli zegara magistra-

li, jakie upływają od wydania przez procesor

polecenia aktywacji wybierania kolumny do

momentu przekazania danych do bufora

w kontrolerze pamięci. Parametr ten ma

dość duży wpływ na wydajność. W przypad-

ku modułów DDR współczynnik ten można

ustawić w zakresie od 2.0 do 3.0 (choć

w niektórych płytach da się ustawić CL1.5).

Kolejnym parametrem (timingiem) jest RAS

to CAS Delay (RCD), czyli wartość przerwy

czasowej wymaganej pomiędzy podaniem

adresu wiersza i kolumny. Parametr RAS

Kolumny

Elementy w matrycy pamięci połączone są ze sobą

liniami adresowymi. Dzięki temu do każdej

komórki można odwołać się po unikalnym adresie.

54 »

CHIP | PAŹDZIERNIK 2003

AKTUALNOŚCI >> TEMAT NUMERU >> HARDWARE >> SOFTWARE >> INTERNET >> PORADY >> MAGAZYN

HARDWARE

Test pamięci RAM

Jak kupować pamięci

Gąszcz znaków – jak rozkodować oznaczenia na RAM-ie

Często prawidłowa identyfikacja modułu

pamięci nie jest łatwa. Jeżeli producent

jawnie opisał na naklejce znamionowej lub

na opakowaniu standard pamięci i jej po-

jemność – mamy szczęście. Schody zaczy-

nają się wtedy, gdy ograniczył się jedynie

do mało zrozumiałego ciągu cyfr i liter.

Można próbować sobie poradzić, odczytu-

jąc dane na poszczególnych kościach.

Wszyscy producenci układów pamięci

w mniej lub bardziej skomplikowany spo-

sób znakują swoje produkty ciągiem liter

i cyfr. Umiejętność poprawnego rozkodo-

wania tego symbolu umożliwia identyfika-

cję danego układu, a co za tym idzie, może

nas uchronić przed nieuczciwymi, nierze-

telnymi sprzedawcami, próbującymi „wci-

snąć” nam inną pamięć, niż sobie życzymy.

Niestety, każdy producent układów pamię-

ci stosuje swoje własne oznaczenia. Oto

przykłady:

AA = DDR266 2-2-2; A2 = DDR266 2-3-3; B0

= DDR266 2,5-3-3; A0 = DDR200 2-2-2).

Krzysztof Bąk,

ekspert zajmujący

się RAM

Hynix

HY – oznaczenie charakterystyczne dla kości

pamięci produkowanych przez Hyniksa.

5D – rodzina pamięci (DDR SDRAM).

U – napięcie zasilania (V = 3,3 V; U,W = 2,5 V;

S = 1,8 V).

56 – technologia wykonania (64 lub 66 = 64

Mbit; 28 = 128 Mbit; 56,57 = 256 Mbit; 12 =

512 Mbit; 1G = 1 Gbit).

08 – organizacja układu (04 = 4-bitowa; 08 =

8-bitowa; 16 = 16-bitowa; 32 = 32-bitowa).

2 – liczba wewnętrznych banków pamięci

(1 = 2 banki; 2 = 4 banki; 3 = 8 banków).

2 – rodzaj interfejsu (1 = STTL_3; 2 = STTL_2;

3 = STTL_18).

B – generacja kości (pusto = 1. generacja; A =

2. generacja; B = 3. generacja; C = 4. gen.).

L – pobór mocy (L = obniżony pobór mocy;

bez oznaczenia – standardowy).

F – rodzaj obudowy (T = TSOP; Q = LQFP;

F,FC = FBGA).

P – materiał obudowy chipa (pusto = stan-

dardowy; P = bez ołowiu).

J – typ modułu (D43 = DDR400 3-3-3; D4 =

DDR400 3-4-4; J = DDR333; M = DDR266

2-2-2; K = DDR266A; H = DDR266B; L =

DDR200).

I – temp. pracy (I = normalna; E = extended).

Zanim zakupimy pamięć do kompute-

ra, należy się dokładnie zorientować, ja-

kie typy pamięci obsługuje płyta główna

i jaką częstotliwość taktowania zewnętrz-

nej magistrali (FSB) ma mikroprocesor.

Częstotliwość taktowania FSB determinu-

je szybkość, z jaką mikroprocesor może

wymieniać dane z pamięcią.

Jeżeli wykorzystujemy mikroprocesor

z serii Athlon, najszybszy transfer danych

pomiędzy pamięcią a CPU uzyskamy wte-

dy, gdy częstotliwość taktowania pamięci

jest równa częstotliwości taktowania FSB.

W przypadku gdy zainstalujemy wolniej-

szą pamięć niż FSB, należy się liczyć

ze spadkiem wydajności komputera. Jego

powodem jest fakt, że chipset płyty głów-

nej będzie musiał zsynchronizować wy-

mianę danych z wolniejszą pamięcią RAM.

W komputerach z mikroprocesorem In-

tel Pentium 4 najlepszą wydajność pamię-

ci uzyskuje się wtedy, gdy pamięć jest tak-

towana z częstotliwością równą lub więk-

szą od połowy częstotliwości taktowania

FSB mikroprocesora. Mniejsze znaczenie

od częstotliwości taktowania dla szybkości

wymiany danych pomiędzy mikroproce-

sorem a pamięcią mają parametry CL

(CAS Latency), RAS to CAS delay i inne.

Ich znaczenie jest ograniczone dzięki moż-

liwości odczytu i zapisu wielu danych

podczas jednej transakcji oraz dzięki prze-

plotowi banków. W przypadku niemal

każdej płyty BIOS umożliwia użytkowni-

kowi włączenie lub wyłączenie przeplotu

banków i ustawienie długości strumienia

danych oraz zmianę pozostałych parame-

trów. Zmniejszenie wartości parametrów

czasowych i włączenie przeplotu banków

pozwala na uzyskanie kilku-, kilkunasto-

procentowego przyrostu wydajności.

Jeżeli mamy płytę główną mogącą ob-

służyć dwie pamięci jako jeden 128-bitowy

kanał, warto kupić dwa moduły o takiej sa-

mej budowie układów, szybkości oraz po-

jemności każdej z pamięci równej połowie

wymaganej wielkości. Sposób budowy

i prędkość układów można odczytać z ich

oznaczenia lub po prostu kupić dwie pa-

mięci zbudowane na układach scalonych

o takim samym symbolu. Mając dwie pa-

mięci identyczne co do budowy, można

w setupie komputera ustawić, by pamięci

te tworzyły jeden kanał danych. W płytach

głównych z chipsetem nForce2 taka konfi-

guracja radykalnie przyśpiesza wymianę

danych pomiędzy pamięcią a kartą graficz-

ną oraz pamięcią a mikroprocesorem.

Infineon

HYB – oznaczenie charakterystyczne dla ko-

ści pamięci produkowanych przez Infineona.

25 – napięcie zas. (25 = 2,5 V; 39 = 3,3 V).

D – oznaczenie pamięci DDR.

256 – technologia wykonania (128 = 128

Mbit; 256 = 256 Mbit; 512 = 512 Mbit).

80 – organizacja układu (40 = 4 bit; 80 = 8

bit; 16 = 16 bit).

0 – oznaczenie produktu (0 = produkt stan-

dardowy).

B – numer serii.

T – obudowa układu (F,C = FBGA; T,E =

TSOP).

L – pobór mocy (L = obniżony pobór mocy;

jeżeli nie ma tego oznaczenia = standardo-

wy pobór mocy).

6 – czas dostępu (8 = DDR200 2-2-2; 7,5 =

DDR266 2,5-3-3; 7F = DDR266 2-2-2; 7 =

DDR266A 2-3-3; 6 = DDR333 2,5-3-3; 5 =

DDR400 3-3-3).

Jak na podstawie powyższych danych

określić pojemność modułu? Znając tech-

nologię wykonania chipa pamięci, organi-

zację układu oraz liczbę kości pamięci, mo-

żemy ustalić ten parametr w dość łatwy

sposób, dzieląc liczbę oznaczającą techno-

logię wykonania chipa przez liczbę określa-

jącą organizację pamięci, a następnie wy-

nik mnożąc przez liczbę kości pamięci.

Dla niektórych z nas ważne jest również,

aby określić, czy dany moduł pamięci jest

jednostronny czy dwustronny. Znając or-

ganizację pojedynczego układu pamięci,

mnożymy tę wartość przez liczbę kości na-

lutowanych na płytkę. Jeżeli wartość ta jest

większa niż 72 (liczba bitów modułu ECC),

to znaczy, że mamy do czynienia z modu-

łem dwustronnym.

Samsung

K – oznaczenie charakterystyczne dla kości

pamięci produkowanych przez Samsunga.

4 – typ pamięci (DRAM).

H – rodzaj pamięci (H = DDR SDRAM).

56 – technologia wykonania (64 = 64 Mbit;

28 = 128 Mbit; 56 = 256 Mbit; 51 = 512 Mbit;

1G = 1 Gbit).

08 – organizacja układu (04 = 4 bit; 08 =

8 bit; 16 = 16 bit).

3 – liczba wewnętrznych banków pamięci.

Jeżeli podano wartość 3 – mamy 4 banki.

8 – napięcie zasilania (2,5 V).

E – wersja (M = 1. generacja; A = 2. genera-

cja; B = 3. generacja; C = 4. generacja; D =

5. generacja; E = 6. generacja; F = 7. genera-

cja; G = 8. generacja; H = 9. generacja).

K – rodzaj obudowy (T = TSOP II; K = DDR

TSOP II; G = 60Ball FBGA; N = sTSOP).

C – temperatura i pobór mocy (C = standar-

dowy; L = obniżony pobór mocy).

AA – prędkość działania (CC = DDR400 3-3-3;

C4 = DDR400 3-4-4; B3 = DDR333 2,5-3-3;

Rozszyfrowując ciąg znaków na

kościach pamięci, możemy bezbłędnie

zidentyfikować parametry modułu.

CHIP | PAŹDZIERNIK 2003

AKTUALNOŚCI >> TEMAT NUMERU >> HARDWARE >> SOFTWARE >> INTERNET >> PORADY >> MAGAZYN

HARDWARE

Test pamięci RAM

Wydajność testowanych pamięci na plaftormach z procesorami firmy Intel i AMD

Wydajność na platformie Intel

Wydajność na platformie AMD

99,1

97,5

97,3

94,7

93,1

90,1

87,0

86,3

86,1

86,0

84,5

84,3

84,2

84,1

84,0

83,8

83,4

82,9

90,3

87,1

83,8

82,5

81,4

81,1

80,9

80,7

79,4

79,1

78,8

78,7

78,2

76,6

77,2

77,1

76,6

75,2

TwinMOS Memory module PC3700 512 MB

GeIL PC3700 466MHz DDR Platinum Series

OCZ DDR PC-3700 Premier Dual Channel

TwinMOS Twister Memory module PC3700 256 MB

Kingston KHX3500/512

GeIL PC3500 433MHz DDR Dual Channel Ultra Low Latency

Mushkin PC3200 Level II 512MB

Corsair CMX512-3200PT

Infineon HYS64D64320GU-5-B

PQI PMI DDR-400 512MB

Mushkin PC3200 Level II 256MB

GeIL PC3200 400MHz DDR Dual Channel Ultra Low Latency

OCZ DDR PC3200 Premier Series

TwinMOS Twister PC3200 256MB DDR

Infineon HYS64D32300GU-5-B

GeIL PC3200 400MHz DDR Value Series

Corsair CMX256A-3200C2

TwinMOS PC3200 256MB Dual Channel Kit

Kingmax MPXB62D-38KT3R

Kingston KHX3000/512

Kingston KHX3000/256

Kingston KHX2700/512

Infineon HYS64D64329GU-6-A

GeIL PC2700 333MHz DDR SDRAM Ultra

Kingston KHX2700/256

Kingston KVR333X64C25/512

Hynix HYMD232646B8R-J WD

Spectek P32M6448HHC-6A

GeIL PC2700 333MHz DDR SDRAM Value Series

Kingston KVR333X64C25/256

Infineon HYS64D32309GU-6-A

TwinMOS Memory module PC2700 256MB

PQI PMI DDR-333 256MB

Spectek P64M6416HHB-6A

Corsair CMX256A-2700C2PT

Kingston KVR266X64C25/512

Infineon HYS64D64020GU-7-B

TwinMOS Memory module PC2100 512MB

Spectek P32M6448HHC-75A

Infineon HYS64D32000GU-7-B

95,8

95,5

94,1

93,3

99,3

94,8

92,8

92,5

92,1

91,4

91,2

91,0

90,8

90,2

90,1

90,0

87,6

97,2

96,5

95,4

95,1

94,0

93,8

93,3

92,9

92,6

92,4

92,0

91,9

91,8

91,7

83,6

83,3

82,5

81,8

TwinMOS Memory module PC3700 512 MB

GeIL PC3700 466MHz DDR Platinum Series

OCZ DDR PC-3700 Premier Dual Channel

TwinMOS Twister Memory module PC3700 256 MB

Kingston KHX3500/512

GeIL PC3500 433MHz DDR Dual Channel Ultra Low Latency

Mushkin PC3200 Level II 256MB

Mushkin PC3200 Level II 512MB

Corsair CMX512-3200PT

Corsair CMX256A-3200C2

PQI PMI DDR-400 512MB

GeIL PC3200 400MHz DDR Dual Channel Ultra Low Latency Series

Infineon HYS64D64320GU-5-B

TwinMOS Twister Memory Module PC3200 256MB DDR

Kingmax MPXB62D-38KT3R

OCZ DDR PC3200 Premier Series

TwinMOS Memory module PC3200 256MB Dual Channel Kit

Infineon HYS64D32300GU-5-B

GeIL PC3200 400MHz DDR SDRAM Value Series

Kingston KHX3000/512

Kingston KHX3000/256

Kingston KHX2700/512

Kingston KHX2700/256

GeIL PC2700 333MHz DDR SDRAM Ultra

TwinMOS Memory module PC2700 256MB

Spectek P32M6448HHC-6A

Kingston KVR333X64C25/512

Kingston KVR333X64C25/256

Corsair CMX256A-2700C2PT

PQI PMI DDR-333 256MB

Infineon HYS64D64329GU-6-A

Hynix HYMD232646B8R-J WD

Infineon HYS64D32309GU-6-A

GeIL PC2700 333MHz DDR SDRAM Value Series

Spectek P64M6416HHB-6A

Kingston KVR266X64C25/512

Infineon HYS64D64020GU-7-B

TwinMOS Memory module PC2100 512MB

Infineon HYS64D32000GU-7-B

Spectek P32M6448HHC-75A

Wykres wydajności przy standardowych ustawieniach na plaftormie z procesorem P4 nie wnosi niczego odkrywczego – przeważnie im

szybsze pamięci, tym lepiej. Z rankingu wyłamują się nieco pamięci DDR366, które musiały być testowane na podkręconym procesorze –

w efekcie uzyskały lepsze wyniki niż moduły DDR400, a nawet kości taktowane zegarem 433 MHz. Dlatego też przed decyzją o zakupie

należy spojrzeć również na wykres częstotliwości pamięci po overclockingu ( 58 ), wiele mówiący na temat możliwości tych modułów.

Testy na platformie Athlona pokazują z kolei, że najważniesze jest utrzymywanie synchronicznego trybu pracy. Stąd moduły PC3700

(466 MHz) działające asynchronicznie nie były w stanie pokonać wolniej taktowanych, ale działających synchronicznie pamięci

DDR366. Dopiero zastosowanie magistrali FSB 200 MHz i utrzymanie synchronicznego trybu pracy nada sens stosowaniu modułów

DDR400 i szybszych na wspomnianej platformie. Wymaga to jednak nowoczesnego chipsetu i dobrej płyty głównej.

Precharge (RP) to czas trwania sygnału od-

świeżania pamięci. RAS (Row Address Stro-

be) specyfikuje natomiast liczbę cykli wy-

maganych do wykonania komendy

aktywacji jednego z banków pamięci, zanim

załadowanie adresu wiersza może zostać

wykonane. Wszystkie cztery parametry po-

daje się zazwyczaj w postaci liczb oddzielo-

nych myślnikami, np. 2,5-6-4-4.

kilku do kilkunastu procent na obu platfor-

mach Intel i AMD.

W naszym teście znalazło się wiele modu-

łów pamięci DDR różniących się między sobą

nie tylko pojemnościami, ale pracujących tak-

że z różną częstotliwością magistrali. Jak wy-

kazały testy, właśnie te parametry w najwięk-

szym stopniu wpływały na wydajność

poszczególnych kości. Wśród wszystkich mo-

deli na szczególną uwagę zasługują moduły

taktowane „niestandardowymi” częstotliwo-

ściami. Do najciekawszych i zarazem najbar-

dziej wydajnych należą pamięci PC3700. Jed-

nak przyrost wydajności jest nie tylko

wynikiem zwiększonej częstotliwości takto-

wania pamięci. Uruchomienie takich kości

z ich nominalnymi parametrami w większo-

ści przypadków wymusza także zwiększenie

częstotliwości taktowania CPU, czyli jego

Pod radiatorem – niespodzianka. Po jego

zdjęciu okazało się, że zamiast z pamię-

cią PC2700 (Kingston) mamy w rzeczy-

wistości do czynienia z modułem Infine-

ona PC3200.

Ze stoperem w ręku

Jak ważne są czasy dostępu w zwiększaniu

wydajności pamięci RAM, pokazują wyniki

testów uzyskane przez bliźniacze kości

GeIL PC2700 i PC2700 Ultra o znacznie bar-

dziej agresywnych timingach (2-5-2-2).

Zastosowanie kości Ultra przyśpieszyło

działanie poszczególnych benchmarków

w stosunku do pamięci GeIL PC2700 od

57 »

CHIP | PAŹDZIERNIK 2003

AKTUALNOŚCI >> TEMAT NUMERU >> HARDWARE >> SOFTWARE >> INTERNET >> PORADY >> MAGAZYN

HARDWARE

Test pamięci RAM

Produkt*

Infineon

HYS64D32000GU-

7-B

210 zł

Markowe i nie za drogie mo-

duły, doskonałe w overclo-

kingu. Spokojnie pracowały

jako DDR366, a pod P4 na-

wet jako DDR400.

Kingston

KVR266X64C25/5

390 zł

Moduły o bardzo dużym zapa-

sie mocy. Pracują jako DDR333

na platformie AMD. Pod P4 –

rekordowy wynik deklasujący

„wyższe” modele (480 MHz).

Hynix

HYMD232646B8R-

J WD

165 zł

Jedne z tańszych pamięci 256

MB o dużych możliwościach

podkręcania. Uzyskały pręd-

kość powyżej 400 MHz na

obydwu platformach.

Spectek

P32M6448HHC-

205 zł

Pamięci plasujące się w czo-

łówce serii PC2700. Bardzo

duże możliwości podkręcania

– bez problemów pracują ja-

ko DDR433.

Cena (z VAT-em)

Opis

Dane techniczne (wg producenta)

Standard

Pojemność

Napięcia min.-maks.

Czas dostępu

Timingi standardowe **)

Wyniki testu

Cachemem odczyt/zapis P4

Cachemem odczyt/zapis Athlon

Dostawca [http://]

PC2100/266 MHz

256 MB

2,3–2,7 V

7,0 ns

2-7-3-3

PC2100/266 MHz

512 MB

2,25–2,75 V

7,5 ns

2,5-6-3-3

PC2700/333 MHz

256 MB

2,3–2,7 V

6 ns

2,5-7-3-3

PC2700/333 MHz

256 MB

2,3–2,7 V

6 ns

2,5-7-3-3

2581,7/847 MB/s

1228,3/963 MB/s

www.sirius.pl/

2499,1/1231,4 MB/s

1227,4/959,4 MB/s

www.sirius.pl/

2636,6/942 MB/s

1592,7/1003,1 MB/s

www.action.pl/

2634,7/966,4 MB/s

1607,4/1010,5 MB/s

www.wilk.com.pl/

Produkt*

Kingmax

MPXB62D-38KT3R

GeIL PC3200 Dual

Channel Ultra Low

Latency Series

670 zł

Dwumodułowy zestaw, re-

welacyjny przy podkręcaniu.

Jako jedyny pracował powy-

żej 466 MHz zarówno z pro-

cesorami Intela, jak i AMD!

PQI PMI DDR-400

512MB

Corsair CMX256A-

3200C2

Cena (z VAT-em)

Opis

425 zł

Pamięci jednostronne o prze-

ciętnych możliwościach pod-

kręcania. Niestety, bardzo

słabo wypadły przy ustawie-

niach nominalnych.

405 zł

Niedrogie moduły o średniej

wydajności i równie przecięt-

nych możliwościach podkrę-

cania.

300 zł

Bardzo dobre pamięci z serii

DDR400 pod względem

możliwości overclockingu.

Cechą charakterystyczną są

niskie timingi.

Dane techniczne (wg producenta)

Standard

Pojemność

Napięcia min.-maks.

Czas dostępu

Timingi standardowe **)

Wyniki testu

Cachemem – odczyt/zapis P4

Cachemem – odczyt/zapis Athlon

Dostawca [http://]

PC3200/400MHz

256 MB

2,3–2,7 V

5 ns

2,5-7-3-3

PC3200/400MHz

512 MB (2×256 MB)

2,5–2,9 V

5 ns

2-6-3-3

PC3200/400MHz

512 MB

2,5–2,7 V

5 ns

2,5-7-3-3

PC3200/400MHz

256 MB

2,5–2,6 V

6 ns

2-7-3-3

2805,1/1117,6 MB/s

1462,2/995,9 MB/s

www.levi.cz/

2828/1248,2 MB/s

1494/994,6 MB/s

www.geil.pl/

2762,7/1620,1 MB/s

1458,6/993 MB/s

www.asbis.pl/

2843,5/1242,3 MB/s

1461,8/993,1 MB/s

www.sirius.pl/

* – w tabeli zamiesciiśmy moduły najbardziej charakterytyczne dla danego producenta ** – timingi CL-RCD-RP-RAS (CAS Latency-RAS to CAS Delay-RAS Precharge-Row Address Strobe).

Kości markowe czy OEM-owe?

Przy dokonywaniu zakupu modułów pamięci

należy wiedzieć, że można je podzielić na

dwie grupy jakościowe – pamięci OEM i pa-

mięci wysokiej jakości, tzw. MJ (major

brands). Kupując pamięć MJ, mamy gwaran-

cję niezawodności i znakomitych parametrów

technicznych, które bezpośrednio przekładają

się na niezawodność całego komputera. Pa-

mięci „OEM” to pamięci tańsze, ale też słab-

sze jakościowo, charakteryzujące się mniejszą

niezawodnością. Decydując się na pamięci

OEM, należy wybrać moduł wyprodukowany

przez firmę znaną na rynku i kupić go u do-

stawcy dającego wiarygodną gwarancję.

Trzeba też zwrócić uwagę, czy sprzedawa-

ne kości zapakowane są w jednostkowe opa-

kowania antystatyczne, chroniące przed

uszkodzeniem mechanicznym i elektrycz-

nym. Zakup najtańszej pamięci to bardzo

często pozorna oszczędność. Uszkodzenie

RAM-u jest trudne do wykrycia przez użyt-

kownika i pociąga za sobą koszty związane

z transportem komputera do i z serwisu, wy-

łączenia komputera z eksploatacji oraz

w najgorszym przypadku prowadzi do utra-

ty cennych danych.

Przemyślany zakup pamięci na pewno

usprawni pracę Twojego komputera i pomo-

że uniknąć wielu kłopotów technicznych.

(K.B)

CHIP | PAŹDZIERNIK 2003

Plik z chomika:

Inne pliki z tego folderu:

Inne foldery tego chomika: