Tranzystory, cz13.pdf

(154 KB) Pobierz
4542450 UNPDF
Pierwsze kroki
część 13
dla początkujących
Tranzystory
Układ ze wspólnym kolektorem
W tym odcinku podam Ci garść dalszych istotnych informacji na temat wzmacniacza ze wspólnym kolektorem.
Skrajności
W naszych rozważaniach upraszczaliś−
my co się da, by wyciągnąć ogólne
wnioski. Pominęliśmy na przykład wszel−
kie pojemności wewnętrzne tranzystora.
Tymczasem te pominięte czynniki spo−
wodowałyby, że przy wysokich częstotli−
wościach i dużych rezystancjach nasz
układ mógłby w pewnych warunkach
stać się... generatorem – wzbudziłby się
na wysokich częstotliwościach. Zapomnij
więc o wtórniku emiterowym, mającym
jednocześnie wielką oporność wejściową
i przenoszącym szerokie pasmo częstotli−
wości. Możesz spełnić tylko jeden z tych
warunków . Przy niewielkich wartościach
rezystancji R E pasmo przenoszenia wtór−
nika sięgnie kilkuset megaherców! Ale za
to oporność wejściowa będzie sto−
sunkowo mała
Z kolei układ z rysunku 12 ma bardzo
dużą oporność wejściową − przez zasto−
sowanie kondensatora C1 napięcie
zmienne w punkcie połączenia R1, R2 i
R B jest praktycznie równe napięciu wej−
ściowemu i dzięki temu oporność wej−
ściowa jest wielokrotnie większa niż war−
tość rezystora R B . Może ci się to wyda
dziwne, ale tak jest – jeśli cały czas za
mną nadążasz, sam spróbuj zrozumieć
dlaczego. Podpowiem tylko: wypadkowa
oporność jest stosunkiem (zmiennego)
napięcia wejściowego do (zmiennego)
prądu wejściowego i gdyby (zmienne) na−
pięcie na emiterze było idealnie takie sa−
mo jak na bazie, układ miałby oporność
wejściową nieskończenie wielką. Wyko−
rzystuje się tu sposób, nazywany boot−
strap. Słowo bootstrap nie ma dobrego
polskiego odpowiednika − znaczy mniej
więcej tyle, co podciąganie się do góry
przez ciągnięcie za własne sznurówki lub
za włosy. W praktyce układ z rysunku 12
może przysparzać kłopotów w zakresie
wyższych częstotliwości i należałoby
ograniczyć pasmo przenoszenia. To oczy−
wiście jest zadanie dla bardziej zaawan−
sowanych, którzy nie zdziwią się, usły−
szawszy, że układ z rysunku 12 może
mieć w pewnych warunkach ujemną (!)
rezystancję wejściową.
Problemy, problemy,
problemy
Przy okazji leciutko “potrącę” pewien
ważny, a bardzo trudny temat. Z powyż−
szych rozważań wynika, iż pomijane
w obliczeniach subtelne właściwości
tranzystora mogą stać się powodem
ogromnych kłopotów, polegających naj−
częściej na wzbudzaniu się układów na
wysokich częstotliwościach. Przyczyny
samowzbudzenia układu mogą być
Teraz już wiesz bardzo dużo o wtórni−
ku emiterowym, czyli układzie ze wspól−
nym kolektorem.
Czy jednak uda się uzyskać oporność
wejściową rzędu kilku megaomów? Czy
na przykład starannie dobrany układ z ry−
sunku 7 (w poprzednim numerze EdW), z
selekcjonowanym tranzystorem o
wzmocnieniu 1000, indywidualnie dobra−
nymi rezystorami R B =1,2M
, R E =6,0k
, i czy tym samym nie będzie
się nadawał na wejście kanału oscylosko−
pu, który planujesz zbudować? Niestety,
muszę cię rozczarować!
Rys. 12
E LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 3/99
63
nie będzie miał rezystancji wejściowej ró−
wnej 1M
4542450.042.png 4542450.043.png 4542450.044.png 4542450.045.png 4542450.001.png 4542450.002.png 4542450.003.png
Pierwsze kroki
Rys. 13
cyjność, a zbyt mały odstęp między
ścieżkami to znacząca pojemność. Przy
takich częstotliwościach najzwyklejszy
rezystor może zachowywać się jak induk−
cyjność, albo jak pojemność! Tak! A kon−
densator może zachowywać się jak in−
dukcyjność albo rezystancja, choćby ze
względu na indukcyjność wyprowadzeń
czy straty dielektryka.
Co z tego wynika?
Żeby nie natknąć się na bardzo przykre
niespodzianki, z którymi sobie nie pora−
dzisz, nie zaczynaj od prób zaprojektowa−
nia jakichś wyrafinowanych wzmacniaczy
tranzystorowych. Pozostaw to ludziom,
którzy mają duże doświadczenie w tym
zakresie. Ty na razie zdobywaj takie do−
świadczenie, zaczynając od układów naj−
prostszych, nie stosując elementów o
ekstremalnych wartościach i nie
próbując”wydusić” z tranzystora wszy−
stkiego, co wydaje ci się możliwe. Wtedy
nie napotkasz tych koszmarnych proble−
mów i pomału, ale bezstresowo będziesz
wgryzał się w ten temat.
o zniekształceniach rzędu tysięcznych
części procenta, nie stosuj takich zwyk−
łych wtórników.
Wspomniane dwie wady zwykłego
wtórnika można wyeliminować pracując
ze stałym prądem bazy (i stałym prądem
emitera). Jak?
Wystarczy zastosować obciążenie
w postaci źródła prądowego, jak na
rysunku 13a. Na rysunku 13b możesz zo−
baczyć praktyczną realizację takiego bar−
dziej precyzyjnego wtórnika. Dziś rzadko
stosujemy takie rozwiązania, bo w zakre−
sie niskich częstotliwości do, powie−
dzmy, 100kHz, stosuje się precyzyjne
wtórniki zbudowane w oparciu o jakikol−
wiek wzmacniacz operacyjny. Jeśli ci się
chce, zastanów się, jak na parametry
wtórnika wpływa obecność źródła prądo−
wego, które dla przebiegów zmiennych
ma bardzo dużą oporność – co oznacza, iż
rezystancja R E z rysunku 4 ma dla prze−
biegów zmiennych pomijalnie dużą war−
różne, na przykład błędnie zaprojektowa−
na płytka drukowana, czy niewłaściwe
prowadzenie przewodów połączenio−
wych. Ale niektóre problemy mają źródło
w tych pomijanych parametrach tranzy−
stora, głównie pojemnościach.
Albo już spotkałeś, albo spotkasz ukła−
dy, gdzie na wyprowadzenie bazy nakła−
dany jest mały koralik ferrytowy. To nie
żaden talizman – w ten sposób wprowa−
dza się w obwód bazy bardzo, bardzo
małą indukcyjność, i właśnie to chroni w
pewnych warunkach przed oscylacjami.
W innych układach spotkasz niewielki re−
zystor (10...100
) włączony szeregowo
w obwód bazy. Na pierwszy rzut oka tak
mała rezystancja nie ma żadnego znacze−
nia. Istotnie, dla prądu stałego i przebie−
gów małej częstotliwości nie ma, ale
chroni przez samowzbudzeniem na wy−
sokich częstotliwościach.
W uproszczeniu możesz to sobie wy−
obrazić, że dla wysokich częstotliwości
wyprowadzenie bazy jest nie tylko wej−
ściem, ale w pewnym sensie wyjściem,
dlatego zachowanie tranzystora zależy
wtedy od oporności obwodów bazy. Nie
jest o żadna przesada – odszukaj w EdW
11/98 rysunek 4 na stronie 65 i przekonaj
się, że jedną z przyczyn są pojemności,
przez które sygnał z wyjścia wraca na
wejście, czyli właśnie na bazę.
Początkujący zazwyczaj uważają, że
skuteczną metodą na problemy z samo−
wzbudzaniem jest ograniczenie od góry
pasma przenoszenia przez dodanie nie−
wielkich pojemności zwierających sygna−
ły w.cz. do masy. Czasem to rzeczywiście
pomaga, ale niekiedy jeszcze pogarsza
sprawę, właśnie ze względu na omówio−
ne zjawiska. Dlatego nie ma uniwersal−
nych, prostych recept na wszystkie pro−
blemy z samowzbudzeniem wzmacnia−
czy. Przecież na−
wet tak zwane
tranzystory małej
częstotliwości
mają częstotli−
wość graniczną
rzędu 150
...500MHz. Przy
tak dużych
częstotliwoś−
ciach zwykły ka−
wałek drutu to
znacząca induk−
Tylko dla ciekawskich
Podane informacje, dotyczące układu
OC w zupełności wystarczą na początek
elektronicznej kariery. Dla ciekawskich i
bardziej zaawansowanych mam jeszcze
kilka szczegółów. Zupełnie początkujący
mogą spokojnie pominąć ten śródtytuł.
Omawiając działanie wtórnika założy−
liśmy w uproszczeniu, że spadek napięcia
baza−emiter tranzystora jest stały i wyno−
si około 0,6V. W rzeczywistości ten spa−
dek napięcia zależy od prądu bazy – poró−
wnaj rysunek 6 w EdW 11/98 str. 66.
Prąd bazy zależy z kolei od prądu emitera,
a ten w sumie od napięcia, zarówno sta−
łego, jak i od wielkości przebiegu zmien−
nego. Czym większy sygnał zmienny,
tym większe zmiany napięcia baza−emiter
tranzystora.
I co z tego?
Po pierwsze spowoduje to, że zmien−
ne napięcie na wyjściu (emiterze) będzie
nieco mniejsze niż napięcie wejściowe
(na bazie). To znaczy, że wtórnik emitero−
wy ma wzmocnienie nieco mniejsze od
jedności. Nie jest to problemem, bo w
praktyce wynosi ono zwykle około 0,99 −
czym mniejszy sygnał, tym jest bliższe je−
dności.
Po drugie, napięcie baza−emiter nie
jest liniowo zależne od prądu bazy – jak
wiesz, jest to zależność logarytmiczna.
Powoduje to pewne niewielkie zniek−
ształcenia nieliniowe sygnału, tym mniej−
sze, im mniejszy jest sygnał zmienny.
W ogromnej większości przypadków ta−
kie zniekształcenia spokojnie pomijamy,
ale gdybyś budował jakiś superprecyzyj−
ny wzmacniacz czy przedwzmacniacz
Rys. 15
Rys. 14
tość, rzędu co najmniej kilkudziesięciu
kiloomów. Jak to wpłynie na transfor−
mację impedancji?
To jeden szczegół dla ciekawskich.
Teraz drugi.
Dowiedziałeś się, że napięcie stałe na
wyjściu (emiterze) różni się od napięcia
na bazie o około 0,6V. A jak to jest przy
zmianach temperatury? Oczywiście na−
pięcie to zmienia się, i to znacznie, ze
współczynnikiem około –2,2mV/°C. Tym−
czasem w pewnych sytuacjach, gdy
wtórnik ma przenosić nie tylko sygnały
zmienne, ale także stałe, powinien być
stabilny pod względem termicznym.
Czy to możliwe?
Rozwiązanie jest proste: zastosowa−
nie układu z rysunku 14 zapewnia, że na−
pięcie wyjściowe jest równe napięciu
wejściowemu, a wpływ zmian tempera−
tury radykalnie się zmniejsza, zwłaszcza
gdy tranzystory są podobnego typu, po−
zostają w jednakowej temperaturze,
a prądy emiterów są równe.
Teraz trzeci szczegół.
Poprzednie wyliczenia pokazały czarno
na białym, że oporność wyjściowa wtór−
nika jest znacznie mniejsza niż oporność
64
E LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 3/99
4542450.004.png 4542450.005.png 4542450.006.png 4542450.007.png 4542450.008.png
Pierwsze kroki
= 99mV
Wynika z tego, że
wtórnik z rysunku 16a
może prawidłowo pra−
cować, ale tylko z syg−
nałami o amplitudzie
nie większej niż 99mV
(198mVpp). Przy wię−
kszych amplitudach
przebieg wyjściowy (je−
go ujemna część)
będzie koszmarnie
zniekształcony, jak po−
kazuje to rysunek 16b.
Jak temu zaradzić? Oczywiście wy−
starczy zmniejszyć R E . Ściślej biorąc,
wszystko zależy od dwóch czynników:
wymaganej wartości zmiennego napięcia
wyjściowego oraz maksymalnego prądu
“ujemnego”, wyznaczonego przez szere−
gowe połączenie R E i R L . Moglibyśmy tu
wyprowadzić od−
powiednie wzory,
ale nie są one ko−
nieczne. Powróć
do rysunku 15 i
zrozum istotę
problemu – aby
nie było zniek−
ształceń, wyma−
gana maksymal−
na (szczytowa)
wartość zmienne−
go prądu płynące−
go przez obciążenie musi być mniejsza
od połowy (stałego) spoczynkowego
prądu, płynącego przez R E . Sam zasta−
nów się, dlaczego “od połowy” – przy o−
kazji zrozumiesz, dlaczego w podręczni−
kach jest napisane, że oporność wyjścio−
99µA * 1k
wa wtórnika dla dużych sygnałów jest ró−
wna rezystancji R E .
Ściślej biorąc, przedstawiony wtórnik
ma małą oporność wyjściową dla prze−
biegów dodatnich, a dużą (równą R E ) tyl−
ko dla dużych sygnałów ujemnych.
Jakie to ma konsekwencje prakty−
czne? Przy niewielkich opornościach ob−
ciążenia R L musisz stosować odpowie−
dnio małe wartości R E , czyli zwiększać
prąd spoczynkowy. Często jest to niepo−
żądane, bo chcemy utrzymać mały pobór
prądu, nie rezygnując z małej rezystancji
wyjściowej także przy dużych sygnałach.
Czy jest na to rada?
Dobrym, często stosowanym w prak−
tyce rozwiązaniem jest wykorzystanie
wtórnika komplementarnego. Oczy−
wiście nie takiego z rysunku 17a, bo ten
wprowadzałby ogromne zniekształcenia
“w strefie przejściowej”. Praktyczny
przykład wypróbowanego wtórnika kom−
plementarnego znajdziesz na rysunku
17b. Taki układ stosowany był w genera−
torze o częstotliwości do 1MHz, za−
pewniał stałą rezystancję wyjściową
równą 50
Rys. 16
wyjściowa źródła sygnału. Czy zauważy−
łeś, że zwiększenie rezystancji R E wydaje
się korzystne? Przy okazji zmniejszymy
radykalnie pobór prądu i straty mocy.
Przemyśl to!
Czy przykład ze źródłem prądowym w
obwodzie emitera (rysunek 13) przeko−
nał cię, że zwiększanie R E jest uzasadnio−
ne?
Jeśli tak, popatrz na rysunek 15. W
układzie z rysunku 4 zwiększyliśmy rezy−
stancje R B i R E do 60k
. Zamiast tranzystorów BC211
i BC313 można użyć jakichkolwiek innych
o mocy strat 1W i wzmocnieniu powyżej
100. Mogą to być popularne tranzystory
rodziny BD135...140, lub podobne śre−
dniej mocy, ale należy się upewnić, czy
mają wzmocnienie prądowe większe niż
60...70. Jeśli nie jest potrzebna tak mała
rezystancja wyjściowa (50
, bo
tym razem wpływ R E jest niewielki i decy−
dujący wpływ ma rezystancja R L . Ale czy
nie wydaje ci się podejrzane, że rezystan−
cja emiterowa jest tak duża, a rezystancja
obciążenia tak mała? Jeśli cię to trochę
niepokoi, masz rację!
Żeby pokazać ci problem i nie mącić
obrazu obecnością kondensatora wy−
jściowego, przeanalizujmy wtórnik z ry−
sunku 16a. Załóżmy, że zmienne napięcie
wyjściowe w układzie z rysunku 16 po−
winno wynosić 12Vpp, a konkretnie w
dodatnich szczytach +6V, w ujemnych
“dolinach” –6V. Przy oporności R L równej
1k
Rys. 17 a
) i układ
będzie obciążany większą rezystancją,
nie trzeba montować wyjściowego dziel−
nika i zamiast tranzystorów BC211 i
BC313 grupy 10 zastosować jakiekolwiek
tranzystory komplementarne małej mo−
cy, np. BC548B, BC558B.
, w tych szczytach przez obciążenie
powinien płynąć prąd o chwilowej war−
tości równej 6mA.
Przy sygnałach dodatnich względem
masy tranzystor się otwiera i to on do−
starcza potrzebnego prądu. Nie ma tu
ograniczeń – tranzystor dostarczy tyle
prądu, ile trzeba, by napięcie na emiterze
nadążało za napięciem bazy. Jasne?
Gorzej jest, gdy napięcie wejściowe
spada poniżej napięcia masy. Wtedy tran−
zystor się przytyka a może nawet całko−
wicie zatyka, a “ujemny” prąd obcią−
żenia płynie przez rezystor R E. I tu zaczy−
na się problem. Przy podanych napię−
ciach nawet gdy tranzystor zupełnie nie
przewodzi, maksymalny “ujemny” prąd
obciążenia jest ograniczony wartościami
R E i napięcia zasilającego do około 99µA.
Większy być nie może (Imax = −Uzas / (R E
+ R L )), wobec tego największe ujemne
napięcie na obciążeniu RL wyniesie tylko:
Rys. 17 b
E LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 3/99
65
. Niby wszystko
jest w porządku. Jaka będzie rezystancja
wejściowa całego wtórnika dla przebie−
gów zmiennych? Z podanych wyliczeń
wynikałoby, że wynosi około 30k
4542450.009.png 4542450.010.png 4542450.011.png 4542450.012.png 4542450.013.png 4542450.014.png 4542450.015.png 4542450.016.png 4542450.017.png 4542450.018.png 4542450.019.png 4542450.020.png 4542450.021.png 4542450.022.png 4542450.023.png 4542450.024.png 4542450.025.png 4542450.026.png 4542450.027.png 4542450.028.png 4542450.029.png 4542450.030.png 4542450.031.png 4542450.032.png 4542450.033.png 4542450.034.png 4542450.035.png 4542450.036.png 4542450.037.png
Pierwsze kroki
Na koniec roz−
ważań o wzmac−
niaczu OC podam
ci jeszcze kilka
wyjaśnień. Rysu−
nek 18 pokazuje
przykład wykorzy−
stania go w pro−
ściutkim stabiliza−
torze
Jeśli weźmiesz
schemat wzmacniacza mocy audio na
tranzystorach bipolarnych, to najprawdo−
podobniej tranzystory wyjściowe również
pracują tam w układzie OC.
W praktyce pojemność wejściowa nie
może być mniejsza niż:
C = 160 / f R
gdzie R − całkowita rezystancja wej−
ściowa (tranzystora i rezystorów polary−
zujących) w kiloomach, f − częstotliwość
graniczna w hercach, pojemność C wy−
chodzi w mikrofaradach.
W praktyce pojemność C powinna być
przynajmniej 3−krotnie większa, bo wzór
dotyczy spadku poziomu o 3dB.
To samo dotyczy pojemności wyjścio−
wej, oddzielającej R E od R L . Wymaganą
pojemność oblicza się z ostatniego wzo−
ru, podstawiając wartość R L . Te dwie po−
jemności ograniczają pasmo od dołu. Ale
często wtórniki przenoszą też przebiegi
stałe, jak układ z rysunku 17b.
Jeśli chodzi o górę pasma, to teorety−
cznie wtórnik mógłby pracować aż do
częstotliwości granicznej tranzystora
(tranzystorów), wynoszącej ponad sto
megaherców. W praktyce przy wię−
kszych amplitudach pasmo ogranicza od
góry pojemność obciążenia, dołączona
równolegle do R L , na rysunku 19 ozna−
czona C L . Składają się na nią pojemności
montażowe i pojemność samego obcią−
żenia. Konieczność przeładowania po−
jemności prądem płynącym przez R E po−
woduje takie same ograniczenia, jak przy
małej wartości R L (porównaj rysunki 15 i
16). Zresztą pojemność C L można trakto−
wać jako dodatkową oporność (reak−
tancję) malejącą ze wzrostem częstotli−
wości. Inaczej mówiąc, przy bardzo du−
żych częstotliwościach oporność (impe−
dancja) obciążenia maleje ze względu na
obecność pasożytniczych pojemności ob−
ciążających wyjście.
I tyle informacji mam dla ciebie na te−
mat układu OC.
W następnym odcinku przyjrzymy się
wzmacniaczowi tranzystorowemu w
układzie wspólnego emitera.
Jak widzisz, wzmacniacz OC jest wy−
korzystywany nie tylko w obwodach ma−
łych sygnałów stałych i zmiennych.
I jeszcze sprawa częstotliwości grani−
cznych.
W układach z kondensatorem na wej−
ściu (np. rysunki 1, 4, 15) pasmo przeno−
szenia jest ograniczone od dołu przez po−
jemność tego kondensatora wejściowe−
go. Pojemność ta tworzy z całkowitą re−
zystancją wejściową filtr górnoprzepusto−
wy o częstotliwości granicznej
f (−3dB) = 1 / 2
RC
Piiotr Góreckii
Rys. 19
66
E LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 3/99
Rys. 18
4542450.038.png 4542450.039.png 4542450.040.png 4542450.041.png
Zgłoś jeśli naruszono regulamin