Bramki logiczne TTL111.DOC

Wyznaczanie charakterystyk  statycznych bramki NAND 

a)               Schemat pomiarowy

b)               Tabela pomiarów

c)               Charakterystyka  wejściowa

U [V]

I [mA]

2)               Wyznaczanie charakterystyki   przełączania

a)               Schemat pomiarowy

b)               Wyniki pomiarów

Wnioski:

W ćwiczeniu badamy właściwości bramki typu NAND . Wyznaczamy ich charakterystyki  statyczne, dzięki nim  można  określić podstawowe parametry  tych bramek.

Stany  wyjściowe  0, 1  uzyskuje  się  przy pewnych zakresach  napięć wejściowych wartość tego napięcia powinna znajdować się  w pewnym przedziale  . Jednocześnie powinien być zachowany  pewien  odstęp  w obszarze przejściowym dzięki czemu  zwiększa się  odporność bramki na  zakłócenia .Wartość napięcia wejściowego  interpretowanego jako 1 na wejściu  zawiera się w  granicy (2; 5) [V] na wyjściu (2,4 ;5), a 0 logiczne na wejściu (-0.5 ; 0,8 ) i wyjściu (0 ;0,4 ).Stanie włączenia na obydwóch wejściach jest  poziom H powoduje to że na wyjściu jest poziom L . Gdy choć na jednym wejściu jest poziom L to na wyjściu mamy H .

Zasadę działania tej bramki  oraz bramek typu OR , EX-OR  w zależności od poziomu logicznego na wejściu  obrazują tablice stanów.

Z charakterystyk wejściowych przedstawia zależność prądu wejściowego od napięcia

na wejściu bramki ,Mamy tam dwa obszary do U=1,4 prąd wejściowy wypływa z bramki

, powyżej tego napięcia prąd stopniowo zwiększa się ( wpływa do bramki ).Na charakterystyce przełączania mamy trzy zakresy od 2 [V]na wyjściu jest stan niski, od zera do 1.4 stan wysoki

a, pomiędzy 1.3 do 1.9 następuje okres przełączania.

Zależność prądu od obciążenia  jest przedstawiona na charakterystyce  wyjściowej  w stanie 1 im bardziej bramka jest obciążana tym  napięcie wyjściowe proporcjonalnie maleje.

Z charakterystyki poboru prądu  (dla  około 1,5 [V] )  w czasie przełączania widoczny jest bardzo duży  skok poboru prądu .Spowodowany on jest  tym ,że  tranzystor T4 wychodzi z nasycenia a przy dużej wartości ładunku  zgromadzonego  w nim dzięki temu możliwe  jest  przejście w nasycenie tranzystora T3 czyli oba tranzystory przewodzą . Spowoduje to przejściowe  zwiększenie  prądu  pobieranego  przez bramkę.