Ćw. 11 Podstawowe układy pracy tranzystora MOS.pdf
(
522 KB
)
Pobierz
L
ABORATORIUM
UKŁ ADÓW
ELEKTRONICZNYCH
11
Podstawowe układy
pracy tranzystora MOS
Ćwiczenie opracował Bogdan Pankiewicz
d) zmierzyć dolną i górną 3-decybelową częstotliwość
graniczną (
f
f
,
). Pomiar należy wykonać w
1. Wstęp
3
dBL
3
dBH
następujący sposób:
Ćwiczenie umożliwia pomiar i porównanie właściwości trzech
podstawowych konfiguracji pracy tranzystora MOS. Są to
kolejno układ wspólnego źródła (CS), wspólnej bramki (CG)
oraz wspólnego drenu (CD). W ramach ćwiczenia wykonuje
się pomiary: wzmocnienia w środku pasma przepustowego,
rezystancji wejściowej oraz wyjściowej, dolnej oraz górnej 3dB-
owej częstotliwości granicznej a także amplitudowej
charakterystyki częstotliwościowej poza pasmem
przepustowym wzmacniacza. Poszczególne konfiguracje
wybiera się przy pomocy przełącznika obrotowego, który
poprzez przekaźniki, przełącza pomiędzy trzema układami CS,
CG i CD. Czwarta pozycja przełącznika wykorzystana jest do
bezpośredniego zwarcia gniazda sygnału wejściowego z
gniazdem wyjściowym. Umożliwia to pomiar napięcia
wejściowego i wyjściowego przy pomocy jednego i tego
samego przyrządu. Poszczególne układy wykonano tak, aby
zapewniały niemalże identyczne warunki zasilania
tranzystorów. Różnice pomiędzy parametrami wzmacniaczy
wynikają więc głównie z różnych konfiguracji pracy elementu
aktywnego, co umożliwia jakościowe porównanie układów. Dla
uniezależnienia się od parametrów przyrządów pomiarowych
oraz jakości połączeń, w każdym ze wzmacniaczy wbudowano
bufor o wzmocnieniu jednostkowym.
Przed przystąpieniem do ćwiczenia należy
zapoznać się z teorią dotyczącą pracy tranzystora MOS
jako wzmacniacza liniowego (zamieszczona jest ona w
niniejszym opracowaniu). Prowadzący ma obowiązek
sprawdzić przygotowanie do ćwiczenia.
- ustawić częstotliwość generatora na 5kHz,
- ustalić wartość napięcia wejściowego w ten sposób, aby
na wyjściu badanego układu uzyskać 300mV,
- zmniejszać (dla pomiaru częstotliwości granicznej
dolnej) lub zwiększać (dla pomiaru częstotliwości
granicznej górnej) częstotliwość sygnału wejściowego
aż do uzyskania napięcia wyjściowego równego
300
mV
/
, uzyskana wartość jest odpowiednią
częstotliwością graniczną.
e) zmierzyć amplitudową charakterystykę częstotliwościową w
zakresie od 30Hz do oraz od do 2MHz w rastrze
częstotliwości 1, 2, 4, 7, 10 (tj. np. dla 10Hz, 20Hz, 40Hz,
70Hz, 100Hz, ... ). Zmierzoną charakterystykę należy nanieść
na wykres. Oś pionowa powinna być wzmocnieniem
wyrażonym w mierze logarytmicznej tj.
2
f
f
3
dBL
3
dBH
log
V
OIN
, oś
pozioma (częstotliwość sygnału pomiarowego) powinna być
logarytmiczna.
20
10
Przykłady tabel pomiarowych
CS
CG
CD
V
o
/V
in
[V/V]
R
in
[k
Ω
]
R
out
[k
Ω
]
f
3dBL
[Hz]
f
3dBH
[kHz]
f [Hz]
30
40
...
...
1M
2M
f
f
2. Pomiary
Dla każdego z układów CS, CG i CD należy:
a) zmierzyć wzmocnienie dla środka pasma v
o
/v
s
(warunki
pomiaru: sygnał wejściowy o częstotliwości 5kHz i napięciu ok.
30mV dla CS oraz CG, dla układu CD ok. 300mV).
b) zmierzyć rezystancję wejściową (sygnał wejściowy jw., opis
w części teoretycznej).
Aby zmierzyć rezystancję wejściową należy (dla ustalonej
amplitudy napięcia na wejściu):
- zmierzyć napięcie na wyjściu układu
v
o
;
- rozewrzeć rezystor
R
SZ
ER
(
poprzez naciśnięcie i
przytrzymanie przycisku
R
IN
)
i zmierzyć napięcie
wyjściowe
v
o
'
;
- wyznaczyć rezystancję wejściową ze wzoru:
3
dBL
3
dBH
V
0
/V
IN
3. Opracowanie wyników
Dla układów CS, CG oraz CD należy obliczyć teoretycznie:
•
punkty pracy tranzystorów,
•
wzmocnienie małosygnałowe v
o
/v
in
,
•
częstotliwości 3-decybelowe górne i dolne,
•
rezystancję wejściową i wyjściową.
Wyniki obliczeń należy umieścić tak, aby można było łatwo
porównać je z pomiarami (np. we wspólnej tabeli). Dla
każdego z układów narysować zmierzone charakterystyki
częstotliwościowe modułu wzmocnienia a następnie nanieść
na nie wyniki obliczeń (tj. wzmocnienie w środku pasma i
częstotliwości graniczne górną i dolną). Zamieścić własne
wnioski i spostrzeżenia. Porównać układy pomiędzy sobą, a
także skomentować zgodność obliczeń z pomiarami.
'
v
vv
R
o
R
=
⋅
−
R
(1)
IN
SZER
GEN
'
−
o
o
c) zmierzyć rezystancję wyjściową (sygnał wejściowy jak w pkt.
a, opis w części teoretycznej).
Aby zmierzyć rezystancję wyjściową należy (dla ustalonej
amplitudy napięcia na wejściu):
- zmierzyć napięcie na wyjściu układu
v
o
;
- zewrzeć rezystor
R
RÓ
W
(po
przez naciśnięcie i
przytrzymanie przycisku
R
OUT
)
i zmierzyć napięcie
wyjściowe
v
o
'
;
- wyznaczyć rezystancję wyjściową ze wzoru:
4. Teoria
W ćwiczeniu wykonane są trzy wzmacniacze oznaczone
konfiguracjami pracy tranzystorów tj. CS, CG oraz CD.
Wszystkie układy posiadają wbudowane bufory wejściowy i
wyjściowy. Bufory te są identyczne a ich parametry
przedstawia poniższa tabela:
⎛
⎜
⎞
⎟
v
v
0
0
RR
1
−
Parametr
Jednostki Wartość
L
F
'
Wzmocnienie
V/V
1
R
=
(2)
OUT
1
RR
RR
R
BUF
M
Ω
v
v
Rezystancja wejściowa
L
F
0
−
'
50
R
R
GEN
Ω
Rezystancja wyjściowa
0
L
F
RÓW
10-03-09
4B-2
pF
3
VVI
=−
R
C
BUF
⎧
Pojemność wejściowa
⎪
⎪
GS
G
D
S
2
(4)
Częstotliwość graniczna
MHz
4
(
)
I
=
KVV
−
D
N
GS
T
Rozwiązaniami powyższego układu równań są dwa różne
prądy, z których ten prawidłowy spełnia nierówność:
VVI
Małosygnałowy
model
zastępczy
tranzystora
MOS
przedstawiony jest na rysunku 1,
= − >
. Znając wartość prądu drenu można
wyznaczyć napięcia na źródle i drenie tranzystora MOS jako:
VI
RV
GS
G
D
S
T
= −
. W przypadku, gdy
spełniona jest nierówność: , tranzystor
pracuje w zakresie nasycenia, a jego transkonduktancja
wynosi:
=
R
oraz
VV I R
D
S
DS
DDD
V
≥
V
−
V
DS
GS
T
g
= 2
K
I
D
.
m
N
Rys. 1. Małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora
MOS.
4.1.2 Analiza małosygnałowa:
Środek pasma:
Zastępczy schemat małosygnałowy w zakresie średnich
częstotliwości (w paśmie przepustowym) jest tworzony przy
założeniu, że pojemności sprzęgające i bocznikujące stanowią
zwarcie dla sygnałów zmiennych, natomiast pojemności
pasożytnicze tranzystora są rozwarciem.
(
)
2
I
=
K
V
−
V
g
= 2
K
I
gdzie:
D
,
,
m
N
D
N
GS
T
= 0,
L
-
parametr transkonduktacyjny tranzystora MOS,
W, L
- wymiary
geometryczne obszaru kanału elementu, - ruchliwość
nośników w kanale. Parametry tranzystorów wykorzystanych w
ćwiczeniu podane są w tabeli na końcu opracowania. Ze
względu na dużą wartość napięcia tych elementów,
rezystancja wyjściowa tranzystorów MOS w niniejszym
ćwiczeniu została pominięta.
r VI
OA
=
V
T
K
k
W
,
- napięcie progowe,
D
N
n
k
n
V
A
4.1 Układ w konfiguracji wspólnego
źródła (CS):
Rys. 4. Zastępczy schemat małosygnałowy wzmacniacza w
układzie CS dla zakresu częstotliwości średnich.
RRR
IN
=
(5)
G
1
G
2
R
=
R
(6)
OUT
D
)
(
v
0
=−
g
v RRR
mgs
(7)
D
L
BUF
R
RR
v
IN
v
=
(8)
gs
in
+
IN
GEN
v
v
R
RR
gRRR
(
)
0
=−
IN
(9)
mDL
F
+
in
IN
GEN
Rys. 2. Schemat wzmacniacza z tranzystorem MOS w
konfiguracji wspólnego źródła (CS).
Wysokie częstotliwości:
Częstotliwość graniczna górna wyznaczona jest w oparciu o
stałe czasowe, powiązane z odpowiednimi pojemnościami
pasożytniczymi tranzystora MOS. Korzystając z twierdzenia
Millera, pojemność
4.1.1 Punkt pracy
Ze względu na brak przepływu prądu przez bramkę tranzystora
MOS napięcie stałe na jej wyprowadzeniu można obliczyć
korzystając z zależności na dzielnik napięciowy:
C
GD
M1
i C
M2
.
(
można zamienić (patrz rys. 5) na
pojemności C
R
RR
v
v
)
G
2
(3)
VV
=
o
K
= −
gRRR
(10)
G
D
+
mDL
F
G
1
G
2
gs
CC K
M
=
(
1
−
)
(11)
1
gd
1
⎛
⎜
⎞
⎟
CC
=
1
−
(12)
M
2
gd
K
Rys. 5. Zastępczy schemat małosygnałowy dla
wyznaczenia częstotliwości granicznej górnej.
Rys. 3. Schemat do wyznaczenia punktu pracy
tranzystora.
Napięcie na wyprowadzeniu źródła jest równe spadkowi
napięcia na rezystorze , stąd napięcie bramka - źródło
można wyrazić wzorem:
VV
C
GD
Po zamianie , w układzie są dwie stałe czasowe o
następujących wartościach:
)
(
τ
H
=
(
CC RR
+
)
⋅
(13)
1
M
1
GS
in
GEN
(
)
R
S
τ
H
=
(
CC C RRR
+
+
)
⋅
(14)
2
M
2
BUF
DS
D
L
BU
F
=
−
I
R
; natomiast prąd
GS
G
D
S
Przybliżona częstotliwość graniczna górna może być
określona wzorem:
drenu można wyznaczyć z układu równań:
4B-3
1
f
HdB
≈
(15)
3
2
πτ τ
⋅
(
+
)
HH
1
2
Niskie częstotliwości:
Częstotliwość graniczna dolna wyznaczona jest w oparciu o
stałe czasowe, powiązane z odpowiednimi pojemnościami
sprzęgającymi lub bocznikującymi (licząc stałe czasowe dla
każdej z pojemności, pozostałe należy traktować jako
zwarcie). Pojemności pasożytnicze tranzystora MOS traktuje
się jako rozwarcia.
Rys. 8 Zastępczy schemat małosygnałowy wzmacniacza w
układzie CG z rys. 7 dla zakresu częstotliwości
średnich.
1
RR
g
=
(20)
IN
S
m
R
=
R
(21)
OUT
D
)
(
v
0
=−
g
v
RRR
(22)
mgs
D
L
BUF
R
RR
v
IN
v
=−
(23)
gs
in
+
Rys. 6. Zastępczy schemat małosygnałowy wzmacniacza z
rys. 2 dla częstotliwości niskich.
IN
GEN
v
v
R
RR
gRRR
(
)
0
=
IN
(24)
mDL
F
Wykorzystując schemat zastępczy z rys. 6 poszczególne stałe
czasowe związane z kolejnymi pojemnościami można wyrazić
nastąpująco:
(
+
in
IN
GEN
Wysokie częstotliwości:
Częstotliwość graniczna górna wyznaczona jest w oparciu o
stałe czasowe powiązane z odpowiednimi pojemnościami
pasożytniczymi tranzystora MOS. Stałe te liczy się dla danej
pojemności pasożytniczej przy założeniu, że pozostałe
pojemności pasożytnicze stanowią rozwarcie. Z rys. 9 wynika,
że poszczególne stałe czasowe są równe:
)
τ
L
1
=
CR
+
R R
(16)
G
GEN
G
1
G
2
⎛
⎝
⎞
⎠
1
⎜
⎟
τ
L
=
CR
g
(17)
2
S
S
m
(
)
3
= +
(18)
Przybliżona częstotliwość graniczna dolna może być określona
wzorem:
τ
L
CR RR
D
D
L
BUF
⎛
⎞
1
⎜
⎟
τ
H
=
CR R
g
(25)
1
GS
GEN
S
⎝
⎠
m
⎛
⎜
⎞
⎟
1
2
1
1
1
)
)
(
f
LdB
≈
+
+
(
πτ τ τ
(19)
τ
H
2
=
CC
+
⋅
RRR
(26)
3
GD
BUF
D
L
BUF
L
1
L
2
L
3
⎛
⎞
⎜
⎜
⎜
⎟
⎟
⎟
RRR g
−
1
4.2 Układ w konfiguracji wspólnej
bramki (CG):
DL
Fm
τ
H
=
CRRR
+
(27)
3
DS
D
L
BUF
1
RR
g
−
m
⎝
⎠
GEN
S
Rys. 7. Schemat wzmacniacza z tranzystorem MOS w
konfiguracji wspólnej bramki (CG).
4.1.1 Punkt pracy
Rys. 9. Zastępczy schemat małosygnałowy układu CG dla
wyznaczenia częstotliwości granicznej górnej.
Punkt pracy liczy się identycznie jak dla układu w konfiguracji
CS.
Przybliżona częstotliwość graniczna górna może być
określona wzorem:
4.2.2 Analiza małosygnałowa:
1
f
HdB
≈
(28)
Środek pasma:
Zastępczy schemat małosygnałowy w zakresie średnich
częstotliwości (w paśmie przepustowym) jest tworzony przy
założeniu, że pojemności sprzęgające i bocznikujące stanowią
zwarcie dla sygnałów zmiennych, natomiast pojemności
pasożytnicze tranzystora są rozwarciem.
3
2
πτ τ τ
⋅
(
++
)
HH H
1
2
3
Niskie częstotliwości:
Częstotliwość graniczna dolna wyznaczona jest w oparciu o
stałe czasowe powiązane z odpowiednimi pojemnościami
sprzęgającymi lub bocznikującymi (licząc stałe czasowe dla
każdej z pojemności, pozostałe należy traktować jako
zwarcie). Pojemności pasożytnicze tranzystora MOS traktuje
się jako rozwarcia. Stała czasowa związana z pojemnością
nie występuje ze względu na nie przechodzenie sygnału z
wyprowadzenia źródła na wyprowadzenie bramki (ze względu
na nieskończenie wielką rezystancję bramki).
C
G
4B-4
Rys. 12. Zastępczy schemat małosygnałowy wzmacniacza
w układzie CD z rys. 11 dla zakresu częstotliwości
średnich.
Rys. 10. Zastępczy schemat małosygnałowy wzmacniacza
z rys. 7 dla częstotliwości niskich.
Na podstawie schematu przedstawionego na rys. 12
poszczególne rezystancje, napięcia oraz wzmocnienie można
określić następująco:
RRR
IN
Wykorzystując schemat zastępczy z rys.10, poszczególne
stałe czasowe są równe:
=
(32)
G
1
G
2
⎛
⎝
⎞
⎠
1
⎜
⎟
τ
L
=
CR
+
R
g
(29)
1
1
S
GEN
S
R
=
R
(33)
m
OUT
S
g
(
)
m
2
= +
(30)
Przybliżona częstotliwość graniczna dolna może być określona
wzorem:
τ
L
CR RR
)
(
D
D
L
BUF
vgvRRR
mgs
0
=
(34)
S
L
BUF
R
RR
v
IN
v
=
(35)
⎛
⎜
⎞
⎟
1
2
1
1
g
in
+
f
LdB
≈
+
(31)
IN
GEN
3
(
)
πτ τ
L
1
L
2
v
=−=−=−
0
v
v
v
v
v
gv
RRR
(36)
gs
g
s
g
g
m
gs
S
L
BUF
1
v
=
v
4.3 Układ w konfiguracji wspólnego
drenu (CD):
(37)
(
)
gs
g
1
+
gRRR
m
S
L
BUF
)
(
gRRR
v
v
R
RR
mSL
F
0
IN
=
(38)
(
)
+
1
+
gRRR
in
IN
GEN
mSL
F
Wysokie częstotliwości:
Częstotliwość graniczna górna wyznaczona jest w oparciu o
stałe czasowe powiązane z odpowiednimi pojemnościami
pasożytniczymi tranzystora MOS. Stałe te liczy się dla danej
pojemności pasożytniczej przy założeniu, że pozostałe
pojemności pasożytnicze stanowią rozwarcie. Korzystając z
rys. 13 poszczególne stałe czasowe są równe:
Rys. 11. Schemat wzmacniacza z tranzystorem MOS w
konfiguracji wspólnego drenu (CG).
)
(
τ
H
1
=
CR RR
(39)
GD
GEN
G
1
G
2
4.3.1 Punkt pracy
Punkt pracy liczy się jak dla układu w konfiguracji CS. Jedyną
różnicą jest to, że napięcie stałe na wyprowadzeniu drenu
tranzystora jest równe napięciu zasilania.
⋅
⎛
⎞
⎟
1
(
)
τ
H
=
CCC
+
+
RRR
⎜
(40)
2
DS
0
BUF
SL
F
g
m
⎛
⎞
RRR RRR
+
⎜
⎟
GEN
G
1
G
2
S
L
BUF
τ
H
=
C
4.3.2 Analiza małosygnałowa:
(41)
3
GS
1
+
gR R R
mS
L
BUF
⎝
⎠
Środek pasma:
Zastępczy schemat małosygnałowy z zakresie średnich
częstotliwości (w paśmie przepustowym) jest tworzony przy
założeniu, że pojemności sprzęgające i bocznikujące stanowią
zwarcie dla sygnałów zmiennych, natomiast pojemności
pasożytnicze tranzystora są rozwarciem. Dodatkowa niewielka
pojemność (35pF) ma wpływ na wysokie częstotliwości,
więc w środku pasma można ją traktować jako rozwarcie.
1
f
HdB
≈
(42)
3
2
πτ τ τ
⋅
(
++
)
HH H
1
2
3
C
0
Rys. 13. Zastępczy schemat małosygnałowy układu CD z
rys. 11 dla wyznaczenia częstotliwości granicznej
górnej.
Niskie częstotliwości:
Częstotliwość graniczna dolna wyznaczona jest w oparciu o
stałe czasowe powiązane z odpowiednimi pojemnościami
4B-5
sprzęgającymi lub bocznikującymi (licząc stałe czasowe dla
każdej z
pojemności, pozostałe należy traktować jako zwarcie).
Pojemności
4.5 Pomiar rezystancji wyjściowej
wzmacniaczy
Rezystancję wyjściową mierzy się wykorzystując dodatkowy
rezystor włączany równolegle z rezystancją obciążenia
wzmacniacza . Podczas normalnej pracy rezystor
jest odłączony. W czasie pomiaru rezystancji dołącza się go
przełącznikie
m
pasożytnicze
tranzystora
oraz
niewielką
C
0
pojemność
traktuje się jako rozwarcia.
R
RÓW
R
L
R
RÓW
umieszczonym
na
płycie
czołowej
i
R
OUT
.
oznaczonym
Rys. 14. Zastępczy schemat małosygnałowy wzmacniacza
z rys. 11 dla częstotliwości niskich.
Według rys. 14 poszczególne stałe czasowe odpowiadające za
częstotliwość graniczną dolną są równe:
(
)
τ
L
1
=
CR
+
R R
(43)
Rys. 16. Metoda pomiaru rezystancji
wyjściowej wzmacniacza.
G
GEN
G
1
G
2
⎛
⎜
⎞
⎟
1
τ
L
=
C
RRR
+
(44)
2
S
S
L
B
F
Oznaczając odpowiednio napięcia wyjściowe przy odłączonym
i dołączonym rezystorze
g
m
'
R
RÓW
v
0
jako
oraz
v
,
Częstotliwość trzydecybelową dolną można wyznaczyć za
pomocą wzoru przybliżone
go:
0
otrzymujemy:
R
RR
⎛
⎜
⎞
⎟
1
2
1
1
L
vK
=⋅
⋅
v
f
LdB
≈
+
(50)
(45)
o
in
3
+
πτ τ
L
T
L
1
L
2
RR
RR
L
RÓW
'
=⋅
vK
⋅
v
(51)
o
in
4.4 Pomiar rezystancji wejściowej
wzmacniaczy
Rezystancję wejściową mierzy się wykorzystując dodatkowy
rezystor włączony szeregowo z rezystancją
wewnętrzną generatora . Podczas normalnej pracy jest
on zwierany przez przełącznik umieszczony na p
łycie
czołowej. Po naciśnięciu przycisku oznaczonego
+
R
L
OUT
RÓW
RR
+
R
v
v
R
RR
L
OUT
RÓW
o
L
=
(52)
'
+
RR
L
T
R
SZER
o
L
RÓW
R
GEN
⎛
⎝
⎞
⎠
v
v
0
R
⎜
1
−
⎟
L
'
0
R
=
(53)
R
IN
OUT
v
v
R
RR
0
L
−
R
SZER
następuje rozwarcie, powodujące dołączenie rezystora
,
'
0
L
RÓW
co prowadzi do zmniejszenia wzmocnienia.
4.6 Dane elementów i parametry
tranzystorów w poszczególnych
konfiguracjach układowych.
Parametr
Jednostki
CS
CG
CD
K
N
μ
A/V
2
312,32 323,46 309,15
V
T
V 1,272 1,264 1,252
Rys. 15. Metoda pomiaru rezystancji
wejściowej wzmacniacza.
C
DS
pF 12,34 12,36 11,42
C
GS
pF 9,33 9,74 8,99
Oznaczając odpowiednio napięcia wyjściowe przy zwartym i
rozwartym rezystorze
C
GD
pF
1,7
1,84
1,93
v
'
R
SZER
jako
v
oraz
, otrzymujemy:
R
GEN
Ω
50
50
50
0
R
BUF
1
1
1
M
Ω
R
RR
v
IN
vK
=⋅
⋅
(46)
C
BUF
pF
3
3
3
o
in
+
C
0
pF
nie ma nie ma
35
IN
GEN
R
RR
R
SZER
300,8 2,87 306,5
k
Ω
'
=⋅
IN
vK
⋅
v
(47)
o
in
R
RÓW
21,8 20,49 3,142
+
+
R
k
Ω
IN
GEN
SZER
C
G
nF 9,15 9,20 9,17
v
v
RR R
RR
+
+
o
IN
GEN
SZER
C
S
0,98 0,98 1,001
=
μ
F
(48)
'
+
C
D
nF
100
100
100
IN
GEN
o
R
G1
752,8 755,5 754,5
k
Ω
'
v
vv
R
o
R
=
⋅
−
R
(49)
R
G2
479 481,3 480,6
k
Ω
IN
SZER
GEN
'
−
R
S
21,97 22,26 22,31
o
o
k
Ω
R
D
k
Ω
46,68 46,83 nie ma
R
L
46,8 46,78 13,35
k
Ω
V
DD
V
12
12
12
Plik z chomika:
inzynieria.biomedyczna
Inne pliki z tego folderu:
Ćw. 6 Wzmacniacze szerokopasmowe.pdf
(2617 KB)
Cw. 3 Wzmacniacz rezonansowy.pdf
(508 KB)
Cw. 2 Wzmacniacz mocy.pdf
(381 KB)
Cw.4 Tranzystor bipolarny.pdf
(471 KB)
Ćw 13 Programowalna macierz układów analogowych.pdf
(387 KB)
Inne foldery tego chomika:
ELAM
Implanty
Mechanika
Przetwarzanie obrazów
Przetwarzanie sygnałów
Zgłoś jeśli
naruszono regulamin